Genel katalog
1011GN-125E
RF MOSFETs Transistors
Bu parça genel kataloğumuzdan listelenmiştir; stok ve fiyat bilgisi gösterilmez. Adet ve teslim süresine göre teklif hazırlarız.
- RoHS
- Compliant
- Fiyatlandırma
- Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
- Destek
- Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
23
- Tip
- RF Power MOSFET
- Pd Power Dissipation
- 214 W
- Transistor Type
- HEMT
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- 55-QQ
- Ürün Durumu
- Active
- Kılıf / Paket
- 55-QQP
- Paket
- Bulk
- Vgs Gatesource Voltage
- - 8 V to 0 V
- Voltage Test
- 50 V
- Nominal Gerilim
- 125 V
- Fabrika Paket Adedi
- 1
- Vds Drainsource Breakdown Voltage
- 125 V
- Operating Frequency
- 1030 MHz to 1090 MHz
- Gain
- 18.75 dB
- Power Output
- 150W
- Output Power
- 150 W
- Frekans
- 1.03GHz ~ 1.09GHz
- Id Continuous Drain Current
- 12 mA
- Current Test
- 60 mA
- RoHS
- Details
- Montaj Stili
- Flange Mount
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Seri
- E